Componentes de cerámica electrónicos AL2O3

Lugar de origen Hunan, China
Nombre de la marca Antaeus
Certificación /
Número de modelo AD-D011
Cantidad de orden mínima Negociación
Precio negotiable
Detalles de empaquetado Empaquetamiento al vacío interno, cartón exterior.
Tiempo de entrega 15-45 días
Condiciones de pago T/T o negociación
Capacidad de la fuente Fuente completa

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Datos del producto
Nombre de producto Componentes de cerámica electrónicos/cerámica electrónica Contenido AL2O3 el 90% - el 99%
Extensible 30 Kpsi - 32 Kpsi Flexural 55 Kpsi - 60 Kpsi
Compresivo 300 Kpsi - 330 Kpsi Densidad 3,7 g/cc - 3,92 g/cc
Dureza 13,8 alto voltaje, Gpa - 18 alto voltaje, Gpa Conductividad termal 25 con (m K) - 32 con (m K)
C.O.T.E 75 en/In°C (x10^7) - 78 en/In°C (x10^7) Temperatura de trabajo 1500 °C - °C 1750
Constante dieléctrica 9.5 - 9,8 Resistencia de volumen >10^14 Ohmio-cm
Fuerza dieléctrica 16 KV/mm - 20 KV/mm
Resaltar

Componentes de cerámica electrónicos AL2O3

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lleve - los componentes de cerámica electrónicos resistentes

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AL2O3 avanzó cerámica estructural

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Descripción de producto

Componentes de cerámica electrónicos/componentes electrónicos de cerámica

 

1. Descripción:

El estudio de mercados conducido en 1998 por la asociación de la transferencia de tecnologías de Japón aclaró que son las demandas reales para los actuadores: dislocación de 100 μm, fuerza de 100 N y respuesta de 100 μs. Porque ni el de múltiples capas ni el bimorfo puede satisfacer esta demanda real, las estructuras compuestas del actuador llamaron el ‘moonie’ y el ‘platillo’ fue desarrollado para proporcionar las características intermedias entre los actuadores de múltiples capas y bimorfos; este tipo de transductor tiene una dislocación un orden de magnitud más grande que el de múltiples capas, y una fuerza generativa mucho más grande con una respuesta más rápida que el bimorfa.73El dispositivo consiste en un elemento piezoeléctrico de múltiples capas fino y dos placas de metal con una cavidad luna-formada o platillo-formada estrecha enlazaron juntas tal y como se muestra en de fig. 3,27. Elmoonie, conuntamaño5 del × del × 5 2,5 milímetros3, puede generar una dislocación de 20 μm bajo 60 V, ocho veces más grandes que la dislocación generativa producida por un de múltiples capas del mismo tamaño.74Este nuevo actuador compacto se ha utilizado en un escáner de rayo láser miniaturizado.

 

2. Ventajas de la característica:

1) Altas dureza y alta densidad

2) Conductividad termal baja

3) Inercia química

4) Buena resistencia de desgaste

5) Alta dureza de la fractura

6) Buen funcionamiento del aislamiento

7) Resistencia da alta temperatura

8) Una variedad de especificaciones están disponibles

9) Satisfaga las diversas peticiones técnicas

10) Desperdicios medios más bajos

11) Textura de la tiesura

12) Inercia química

13) Buena resistencia de desgaste

14) Alta dureza de la fractura

15) Buen funcionamiento del aislamiento

 

3. Características/propiedades materiales:

Compuesto (% peso) el 99% 99,5% 99,8%
Color   Blanco o de marfil Blanco o de marfil Blanco o de marfil
Densidad g/cm 3 3,82 3,9 3,92
Dureza HRA 83 85 85
Fuerza flexural Mpa (psi*10 3) 375 386 381

 

4. Parámetros técnicos:

Parámetros técnicos de la cerámica
Artículos Condiciones de prueba Unidad o símbolo El 99% AL2O3 El 95% AL2O3 El 90% AL2O3 Circona Esteatita Carburo de silicio
Densidad de volumen -- g/cm3 ≥3.70 ≥3.62 ≥3.40 ≥5.90 ≥2.60 ≥3.08
Tirantez -- PA·³ /s de m ≤1.0×10-11 ≤1.0×10-11 ≤1.0×10-11 - - -
Permeabilidad líquida -- -- Paso Paso Paso   Paso -
Fuerza flexural - MPa ≥300 ≥280 ≥230 ≥1100 ≥120 ≥400
Módulo de elástico - GPa - ≥280 ≥250 ≥220 - 400
Ratio de Poisson - - - 0.20~0.25 0.20~0.25 - - -
Resistencia de choque termal ciclo 800℃ (temperatura ambiente): 10 veces   Paso Paso Paso - - -
Coeficiente de extensión linear 20℃~100℃ ×10-6 K-1 - - -   ≤8 -
20℃~500℃ ×10-6 K-1 6.5~7.5 6.5~7.5 6.5~7.5 6.5~11.2 - -
20℃~800℃ ×10-6 K-1 6.5~8.0 6.5~8.0 6.3~7.3   - 4
20℃~1200℃ ×10-6 K-1 - 7.0~8.5 - - - -
Coeficiente de conductividad termal 20℃ Con (m·k) - - - - - 90~110
1000℃
Constante dieléctrica 1MHz 20℃ - 9.0~10.5 9.0~10 9.0~10 - ≤7.5 -
1MHz 50℃ - - 9.0~10 - - - -
10GHz 20℃ - 9.0~10.5 9.0~10 9.0~10 - - -
Resistencia de volumen 100℃ Ω·cm ≥1.0×1013 ≥1.0×1013 ≥1.0×1013 - ≥1.0×1012 -
300℃ ≥1.0×1013 ≥1.0×1010 ≥1.0×1013 - - -
500℃ ≥1.0×109 ≥1.0×108 -- - - -
Fuerza perturbadora C.C. kV/mm ≥17 ≥15 ≥15 - ≥20 -
Durabilidad química 1:9HCl mg/c㎡ ≤0.7 ≤7.0 - - - -
10%NaOH mg/c㎡ ≤0.1 ≤0.2 - -- - -
Tamaño de grano - μm - 3~12 - - - -

 

5. Flujos de proceso:

El formular --- Granulación --- Formación --- Sinterización --- Pulido --- Impresión --- Niquelado --- Assembing --- El soldar --- Inspección --- Embalaje

Componentes de cerámica electrónicos AL2O3 0

 

6. Campos del uso:

Solicite extensamente los nuevos vehículos de la energía, el sistema de carga de las pilas, de la generación de energía solar, del almacenamiento de energía y del almacenamiento del poder, sistema eléctrico del vehículo eléctrico y así sucesivamente.

Componentes de cerámica electrónicos AL2O3 1

 

7. instalaciones de producción: Torre de Prilling, formando la máquina, horno de alta temperatura de la sinterización

Componentes de cerámica electrónicos AL2O3 2

 

8. Dispositivos de detección:

Probador eléctrico del funcionamiento, analizador del espesor del film, Granulometer, detector de escape del espectrómetro de masas del helio, metro universal de la fuerza del tirón

Componentes de cerámica electrónicos AL2O3 3

pasos del flujo 9.Order como belows: Investigación ---Cita --- Ponga una orden --- Producción --- Entrega

 

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10. Nuestras ventajas: Garantía de calidad; Precio competitivo; Fuente de la fábrica directamente; Buen servicio

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11.Shipping y paquete:

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12. Nuestro mercado estado dirigido:

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Notas: ¡Sobre la información solamente para la referencia y entre en contacto con por favor con nosotros para más detalles libremente cuando usted tiene cualquier investigación!