Alta densidad de cerámica dirigida de los componentes electrónicos AL2O3 90%-99%

Lugar de origen Hunan, China
Nombre de la marca Antaeus
Certificación /
Número de modelo AD-D028
Cantidad de orden mínima Negociación
Precio negotiable
Detalles de empaquetado Empaquetamiento al vacío interno, cartón exterior.
Tiempo de entrega 15-45 días
Condiciones de pago T/T o negociación
Capacidad de la fuente Fuente completa

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Datos del producto
Nombre de producto Componentes de cerámica electrónicos/cerámica electrónica Contenido AL2O3 el 90% - el 99%
De tensión 30 Kpsi - 32 Kpsi Flexural 55 Kpsi - 60 Kpsi
Compresivo 300 Kpsi - 330 Kpsi Densidad 3,7 g/cc - 3,92 g/cc
Dureza 13,8 alto voltaje, Gpa - 18 alto voltaje, Gpa Conductividad termal 25 con (m K) - 32 con (m K)
C.O.T.E 75 en/In°C (x10^7) - 78 en/In°C (x10^7) Temperatura de trabajo 1500 °C - °C 1750
Constante dieléctrica 9.5 - 9,8 Resistencia de volumen >10^14 Ohmio-cm
Fuerza dieléctrica 16 KV/mm - 20 KV/mm
Resaltar

componentes electrónicos de cerámica de alta densidad

,

componentes electrónicos de cerámica del 99%

,

AL2O3 dirigió cerámica

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Descripción de producto

Componentes de cerámica electrónicos/componentes electrónicos de cerámica

 

1. Descripción:

El ρ de la resistencia de la cerámica BaTiO3 sinterizado en la atmósfera de reducción (presión parcial del oxígeno 2 del MPa del × 10−12) no fue degradado dopando el CaO cuando el ratio m de A/B estaba sobre la unidad. Los puntos esenciales en el diseño de la composición son 1) control del O2 molecular del o del ratio (vagos + Ca) (Zr del Ti) más grande que la unidad, 2) incorporación de los iones del Ca en el sitio del enrejado del Ti (sitio de B) de BaTiO3, y 3) dopando el aceptador como iones del manganeso. Los iones del magnesio tienen el mismo efecto que los iones del Ca.

 

2. Ventajas de la característica:

1) Altas dureza y alta densidad

2) Conductividad termal baja

3) Inercia química

4) Buena resistencia de desgaste

5) Alta dureza de la fractura

6) Buen funcionamiento del aislamiento

7) Resistencia da alta temperatura

8) Una variedad de especificaciones están disponibles

9) Satisfaga las diversas peticiones técnicas

10) Desperdicios medios más bajos

11) Textura de la tiesura

12) Inercia química

13) Buena resistencia de desgaste

14) Alta dureza de la fractura

15) Buen funcionamiento del aislamiento

 

3. Características/propiedades materiales:

Compuesto (% peso) el 99% 99,5% 99,8%
Color   Blanco o de marfil Blanco o de marfil Blanco o de marfil
Densidad g/cm 3 3,82 3,9 3,92
Dureza HRA 83 85 85
Fuerza flexural Mpa (psi*10 3) 375 386 381

 

4. Parámetros técnicos:

Parámetros técnicos de la cerámica
Artículos Condiciones de prueba Unidad o símbolo El 99% AL2O3 El 95% AL2O3 El 90% AL2O3 Circona Esteatita Carburo de silicio
Densidad de volumen -- g/cm3 ≥3.70 ≥3.62 ≥3.40 ≥5.90 ≥2.60 ≥3.08
Tirantez -- PA·³ /s de m ≤1.0×10-11 ≤1.0×10-11 ≤1.0×10-11 - - -
Permeabilidad líquida -- -- Paso Paso Paso   Paso -
Fuerza flexural - MPa ≥300 ≥280 ≥230 ≥1100 ≥120 ≥400
Módulo de elástico - GPa - ≥280 ≥250 ≥220 - 400
Ratio de Poisson - - - 0.20~0.25 0.20~0.25 - - -
Resistencia de choque termal ciclo 800℃ (temperatura ambiente): 10 veces   Paso Paso Paso - - -
Coeficiente de extensión linear 20℃~100℃ ×10-6 K-1 - - -   ≤8 -
20℃~500℃ ×10-6 K-1 6.5~7.5 6.5~7.5 6.5~7.5 6.5~11.2 - -
20℃~800℃ ×10-6 K-1 6.5~8.0 6.5~8.0 6.3~7.3   - 4
20℃~1200℃ ×10-6 K-1 - 7.0~8.5 - - - -
Coeficiente de conductividad termal 20℃ Con (m·k) - - - - - 90~110
1000℃
Constante dieléctrica 1MHz 20℃ - 9.0~10.5 9.0~10 9.0~10 - ≤7.5 -
1MHz 50℃ - - 9.0~10 - - - -
10GHz 20℃ - 9.0~10.5 9.0~10 9.0~10 - - -
Resistencia de volumen 100℃ Ω·cm ≥1.0×1013 ≥1.0×1013 ≥1.0×1013 - ≥1.0×1012 -
300℃ ≥1.0×1013 ≥1.0×1010 ≥1.0×1013 - - -
500℃ ≥1.0×109 ≥1.0×108 -- - - -
Fuerza perturbadora C.C. kV/mm ≥17 ≥15 ≥15 - ≥20 -
Durabilidad química 1:9HCl mg/c㎡ ≤0.7 ≤7.0 - - - -
10%NaOH mg/c㎡ ≤0.1 ≤0.2 - -- - -
Tamaño de grano - μm - 3~12 - - - -

 

5. Flujos de proceso:

El formular --- Granulación --- Formación --- Sinterización --- Pulido --- Impresión --- Niquelado --- Assembing --- El soldar --- Inspección --- Embalaje

Alta densidad de cerámica dirigida de los componentes electrónicos AL2O3 90%-99% 0

 

6. Campos del uso:

Solicite extensamente los nuevos vehículos de la energía, el sistema de carga de las pilas, de la generación de energía solar, del almacenamiento de energía y del almacenamiento del poder, sistema eléctrico del vehículo eléctrico y así sucesivamente.

Alta densidad de cerámica dirigida de los componentes electrónicos AL2O3 90%-99% 1

 

7. instalaciones de producción: Torre de Prilling, formando la máquina, horno de alta temperatura de la sinterización

Alta densidad de cerámica dirigida de los componentes electrónicos AL2O3 90%-99% 2

 

8. Dispositivos de detección:

Probador eléctrico del funcionamiento, analizador del espesor del film, Granulometer, detector de escape del espectrómetro de masas del helio, metro universal de la fuerza del tirón

Alta densidad de cerámica dirigida de los componentes electrónicos AL2O3 90%-99% 3

pasos del flujo 9.Order como belows: Investigación ---Cita --- Ponga una orden --- Producción --- Entrega

 

Alta densidad de cerámica dirigida de los componentes electrónicos AL2O3 90%-99% 4

10. Nuestras ventajas: Garantía de calidad; Precio competitivo; Fuente de la fábrica directamente; Buen servicio

Alta densidad de cerámica dirigida de los componentes electrónicos AL2O3 90%-99% 5

11.Shipping y paquete:

Alta densidad de cerámica dirigida de los componentes electrónicos AL2O3 90%-99% 6

12. Nuestro mercado estado dirigido:

Alta densidad de cerámica dirigida de los componentes electrónicos AL2O3 90%-99% 7

Notas: ¡Sobre la información solamente para la referencia y entre en contacto con por favor con nosotros para más detalles libremente cuando usted tiene cualquier investigación!